2SC5551AE-TD-E

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: 2SC5551AE-TD-E
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT RF Transistors 30V,300mA,fT=3.5GHz

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	1.3 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	270
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	300 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)	40 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	30 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.3 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	2 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	3.5 GHz
Производитель	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	2SC5551A
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	PCP-3

Метки: