PQMD12Z

Производитель: NXP Semiconductors
Номер части: PQMD12Z
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT NPN/PNP resistor equipped transistors

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	230 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	80
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	100 mA
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	10 V
Полярность транзистора	NPN, PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	230 MHz
Производитель	NXP
Размер фабричной упаковки	5000
Торговая марка	NXP Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	DFN1010B-6

Метки: