ZXTN2018FTA

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: ZXTN2018FTA
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT NPN 60V Transistor

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	1560 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	15 at 10 A at 1 V
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	300 at 2 A at 1 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	5 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	140 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	60 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	45 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	130 MHz
Производитель	Diodes Incorporated
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	ZXTN2018
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-23-3

Метки: