TTA0002(Q)

Производитель: Toshiba
Номер части: TTA0002(Q)
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT PNP -35A 180W 80 HFE -2V Trans

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	180 W
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	80
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	160
Максимальный постоянный ток коллектора	- 35 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)	- 160V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	- 160 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	- 2 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	- 5 V
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	30 MHz
Производитель	Toshiba
Размер фабричной упаковки	100
Торговая марка	Toshiba
Упаковка	Bulk
Упаковка / блок	2-21F1A

Метки: