+7(8482)93-11-33
+79277730386
PHE13009,127
Производитель: NXP Semiconductors
Номер части: PHE13009,127
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: PHE13009,127
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Биполярные транзисторы - BJT RAIL PWR-MOS
| Биполярные транзисторы - BJT | |
| Pd - рассеивание мощности | 80 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Другие названия товара № | PHE13009 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 8 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 8 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 12 A |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 700 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 400 V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Производитель | NXP |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Торговая марка | NXP Semiconductors |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
Страница создана за 0.133 секунд.