MMBT3416LT3G

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: MMBT3416LT3G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT 40 V NPN Bipolar Transistor

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	225 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	75
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	100 mA
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	40 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	300 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	4 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	75 MHz
Производитель	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки	10000
Серия	MMBT3416L
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-23-3

Метки: