BU508AF

Производитель: STMicroelectronics
Номер части: BU508AF
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT NPN Power Transistor

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	50000 mW
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	10 at 0.1 A at 5 V, 5 at 4.5 A at 5 V
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	30
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	8 A
Минимальная рабочая температура	- 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	9 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	700 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	9 V
Полярность транзистора	NPN
Производитель	STMicroelectronics
Размер фабричной упаковки	300
Серия	1000V Transistors
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	ISOWATT-218FX-3

Метки: