+7(8482)93-11-33
+79277730386
Биполярные транзисторы - BJT | |
Pd - рассеивание мощности | 550 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 100 at - 150 mA, - 2 V |
Конфигурация | Dual |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 at - 150 mA, - 2 V |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | - 800 mA |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | - 40 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | - 40 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | - 750 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - 5 V |
Полярность транзистора | PNP, PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания | 200 MHz |
Производитель | NXP |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Технология | Si |
Торговая марка | NXP Semiconductors |
Упаковка | Reel |
Упаковка / блок | TSOP-6 |