2SB1205T-E

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: 2SB1205T-E
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT BIP PNP 5A 20V

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	10 W
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	100
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	400
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	- 8 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	- 25 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	- 20 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	- 250 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	- 5 V
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	320 MHz
Производитель	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки	500
Серия	2SB1205T-E
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Bulk
Упаковка / блок	TO-251

Метки: