2SC4135T-E

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: 2SC4135T-E
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT BIP NPN 2A 100V

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	1 W
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	100
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	3 A, - 3 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)	120 V, - 120 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	100 V, - 100 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	130 mV, - 220 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V, - 6 V
Полярность транзистора	NPN, PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	120 MHz
Производитель	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки	500
Серия	2SC4135
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Bulk
Упаковка / блок	TO-251

Метки: