MJD45H11TM

Производитель: Fairchild Semiconductor
Номер части: MJD45H11TM
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT PNP Epitaxial Sil

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	20 W
Вес изделия	260.370 mg
Вид монтажа	SMD/SMT
Другие названия товара №	MJD45H11TM_NL
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	40
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	60
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	8 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	- 5 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	- 80 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	- 1 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	- 5 V
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	40 MHz
Производитель	Fairchild Semiconductor
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	MJD45H11
Торговая марка	Fairchild Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	TO-252

Метки: