BC847BPDXV6T1G

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: BC847BPDXV6T1G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
BC847BPDXV6T1G Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы - BJT 100mA 50V Dual Complementary

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	357 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	200
Конфигурация	Dual
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	0.1 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	- 50 V, + 50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	- 45 V, + 45 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.6 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V at NPN, 5 V at PNP
Полярность транзистора	NPN, PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	100 MHz
Производитель	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки	4000
Серия	BC847BPDXV6
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-563-6

Метки: