EMT3T2R

Производитель: Rohm Semiconductor
Номер части: EMT3T2R
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT DUAL PNP 50V 150MA

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	150 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	120
Конфигурация	Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	120 at 1 mA at 6 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	0.15 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	140 MHz
Производитель	ROHM Semiconductor
Размер фабричной упаковки	8000
Серия	EMT3
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	EMT

Метки: