+7(8482)93-11-33
+79277730386
Биполярные транзисторы - BJT | |
Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Другие названия товара № | BCM857BS T/R |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 200 at 2 mA at 5 V |
Конфигурация | Dual |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 200 at 2 mA at 5 V |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | - 100 mA |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | - 50 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | - 45 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | - 200 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - 5 V |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания | 175 MHz |
Производитель | NXP |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Торговая марка | NXP Semiconductors |
Упаковка | Reel |
Упаковка / блок | SOT-363 |