NJVMJD350T4G

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: NJVMJD350T4G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT BIP PNP 0.5A 300V TR

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	15 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	30
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	240
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	750 mA
Минимальная рабочая температура	- 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	300 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	300 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	3 V
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	10 MHz
Производитель	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	MJD350
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	DPAK

Метки: