NJVMJD45H11T4G

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: NJVMJD45H11T4G
Нормоупаковка: 2500 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 2500

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT BIP PNP 8A 80V TR

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	20 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	60
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	16 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	80 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	90 MHz
Производитель	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	MJD45H11
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	DPAK

Метки: