+7(8482)93-11-33
+79277730386
Биполярные транзисторы - BJT | |
Pd - рассеивание мощности | 100000 mW |
Вид монтажа | Through Hole |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 8 |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 12 A |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 700 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 400 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 9 V |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания | 4 MHz |
Производитель | Fairchild Semiconductor |
Серия | KSE13009 |
Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
Упаковка / блок | TO-220-3 |