+7(8482)93-11-33
+79277730386
QS6Z5TR
Производитель: Rohm Semiconductor
Номер части: QS6Z5TR
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: QS6Z5TR
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
| Описание | действие |
| QS6Z5TR Лист данных | скачать |
Биполярные транзисторы - BJT PNP+NPN Driver Transistor
| Биполярные транзисторы - BJT | |
| TARIC (Единый тариф ЕЭС) | 8541290000 |
| Код HTS | 8541290095 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 180 at 50 mA at 2 V, 180 at - 50 mA at - 2 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A, - 1 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 360 MHz, 400 MHz |
| Pd - рассеивание мощности | 1.25 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Другие названия товара № | QS6Z5 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Конфигурация | Dual |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 450 at 50 mA at 2 V, 450 at - 50 mA at - 2 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A, - 1 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 130 mV, - 200 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Полярность транзистора | NPN, PNP |
| Производитель | ROHM Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | SOT-457T-6 |
| CNHTS | 8541290000 |
| MXHTS | 85412999 |
| TARIC (Единый тариф ЕЭС) | 8541290000 |
Страница создана за 0.139 секунд.