+7(8482)93-11-33
+79277730386
Биполярные транзисторы - BJT | |
Pd - рассеивание мощности | 2.1 W |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 12 at 0.5 mA at 2 V, 10 at 0.4 A at 5 V, 5 at 0.8 A at 5 V |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 700 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 400 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 9 V |
Полярность транзистора | NPN |
Производитель | NXP |
Размер фабричной упаковки | 5000 |
Торговая марка | NXP Semiconductors |
Упаковка | Bulk |
Упаковка / блок | SPT |