NSV1C200MZ4T1G

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: NSV1C200MZ4T1G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT PNP SOT223 BIP POWER TRAN

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	2 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	120 at - 500 mA at - 2 V
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	360 at - 500 mA at - 2 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	3 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	- 140 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	- 100 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	- 0.22 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	- 7 V
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	120 MHz
Производитель	ON Semiconductor
Серия	NSS1C200
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-223-4

Метки: