PBSS5130T,215

Производитель: NXP Semiconductors
Номер части: PBSS5130T,215
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT TRANS BISS TAPE-7

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	300 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Другие названия товара №	PBSS5130T T/R
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	300
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	300 at 100 mA at 2 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	- 1.5 A
Минимальная рабочая температура	- 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	30 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	- 30 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	- 5 V
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	200 MHz
Производитель	NXP
Размер фабричной упаковки	3000
Торговая марка	NXP Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-23

Метки: