DNLS350Y-13

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: DNLS350Y-13
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT NPN 1W

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	1000 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	100, 3 A at 2 V
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	300 at 0.1 A at 2 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	5 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	370 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	100 MHz
Производитель	Diodes Incorporated
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	DNLS350
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-89

Метки: