PBSS5580PA,115

Производитель: NXP Semiconductors
Номер части: PBSS5580PA,115
Нормоупаковка: 3000 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 3000

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT 80V 4A PNP LO VCEsat TRANSISTOR

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	2.1 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	70
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	265
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	- 5 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	- 80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	- 80 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	- 7 V
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	110 MHz
Производитель	NXP
Размер фабричной упаковки	3000
Торговая марка	NXP Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-1061

Метки: