NST30010MXV6T1G

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: NST30010MXV6T1G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT DUAL MATCHED GP XTT PNP

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	661 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	270 at 10 uA at 5 V, 420 at 2 mA at 5 V
Конфигурация	Dual
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	0.1 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	30 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	30 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	100 MHz (Min)
Производитель	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки	4000
Серия	NST30010MXV6
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-563-6

Метки: