BC856W,135

Производитель: NXP Semiconductors
Номер части: BC856W,135
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание	действие
BC856W,135 Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP TAPE-11

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	200 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Другие названия товара №	/T3 BC856W
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	125 at - 2 mA at - 5 V
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	475 at - 2 mA at - 5 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	- 200 mA
Минимальная рабочая температура	- 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	- 80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	- 65 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	- 250 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	- 5 V
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	100 MHz
Производитель	NXP
Размер фабричной упаковки	10000
Торговая марка	NXP Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-323-3

Метки: