+7(8482)93-11-33
+79277730386
EMZ7T2R
Производитель: Rohm Semiconductor
Номер части: EMZ7T2R
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: EMZ7T2R
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
| Описание | действие |
| EMZ7T2R Лист данных | скачать |
Биполярные транзисторы - BJT NPN/PNP 12V 500MA
| Биполярные транзисторы - BJT | |
| TARIC (Единый тариф ЕЭС) | 8541290000 |
| Высота | 0.5 mm |
| Длина | 1.6 mm |
| Код HTS | 8541290095 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 270 |
| Непрерывный коллекторный ток | 500 mA |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 320 MHz, 260 MHz |
| Ширина | 1.2 mm |
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Другие названия товара № | EMZ7 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Конфигурация | Dual |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 680 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.5 A |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 15 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 12 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 90 mV, - 100 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Полярность транзистора | NPN, PNP |
| Производитель | ROHM Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 8000 |
| Серия | EMZ7 |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | EMT-6 |
| CNHTS | 8541290000 |
| MXHTS | 85412999 |
| TARIC (Единый тариф ЕЭС) | 8541290000 |
Страница создана за 0.339 секунд.