NSS1C200LT1G

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: NSS1C200LT1G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT 100V LO VCE(SAT) TRA PNP

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	710 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	150 at 10 mA at 2 V, 120 at 500 mA at 2 V, 80 at 1 A at 2 V, 50 at 2 A at 2 V
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	150
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	2 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	140 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	100 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7 V
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	120 MHz
Производитель	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	NSS1C200L
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-23

Метки: