NJVMJB44H11T4G

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: NJVMJB44H11T4G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT BIP NPN 8A 80V TR

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	50 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	60 at 2 A at 1 V
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	10 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	80 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	50 MHz
Производитель	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки	800
Серия	MJB44H11
Технология	Si
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	D2PAK-3

Метки: