MJE180STU

Производитель: Fairchild Semiconductor
Номер части: MJE180STU
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT NPN Epitaxial Sil

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	1500 mW
Вес изделия	761 mg
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	50
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	250
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	3 A
Минимальная рабочая температура	- 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	40 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.7 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	50 MHz
Производитель	Fairchild Semiconductor
Размер фабричной упаковки	1920
Серия	MJE180
Торговая марка	Fairchild Semiconductor
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-126

Метки: