BUV21G

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: BUV21G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
BUV21G Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы - BJT 40A 200V 250W NPN

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	250 W
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	20
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	40 A
Минимальная рабочая температура	- 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	250 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	8 MHz
Производитель	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки	100
Серия	BUV21
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Tray
Упаковка / блок	TO-204-2 (TO-3)

Метки: