2SA2007E

Производитель: Rohm Semiconductor
Номер части: 2SA2007E
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT Trans GP BJT PNP 60V 12A

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	25 W
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	160
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	320
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	- 12 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	- 100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	- 60 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	- 0.3 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	- 5 V
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	80 MHz
Производитель	ROHM Semiconductor
Размер фабричной упаковки	500
Серия	2SA2007
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка	Bulk
Упаковка / блок	TO-220FN

Метки: