HBDM60V600W-7

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: HBDM60V600W-7
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT 200mW Half H-Bridge

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	200 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	50
Конфигурация	Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	300
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	0.5 A at NPN, 0.6 A at PNP
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	- 60 V, + 80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	- 60 V, + 65 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	- 0.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	- 5.5 V, 6 V
Полярность транзистора	NPN, PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	100 MHz
Производитель	Diodes Incorporated
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	HBDM60
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-363

Метки: