BD159STU

Производитель: Fairchild Semiconductor
Номер части: BD159STU
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT NPN Epitaxial Sil

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	20 W
Вес изделия	761 mg
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	30
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	240
Максимальная рабочая температура	+ 50 C
Максимальный постоянный ток коллектора	0.5 A
Минимальная рабочая температура	- 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	375 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	350 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Полярность транзистора	NPN
Производитель	Fairchild Semiconductor
Размер фабричной упаковки	1920
Серия	BD159
Торговая марка	Fairchild Semiconductor
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-126

Метки: