NJW1302G

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: NJW1302G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT 200W TO-3P PNP

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	200000 mW
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	75
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	75
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	15 A
Минимальная рабочая температура	- 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	250 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	250 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	30 MHz
Производитель	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки	30
Серия	NJW1302
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-3P

Метки: