ZTX553

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: ZTX553
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT PNP Medium Power

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	1 W
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	40 at 150 mA at 10 V, 10 at 1 A at 10 V
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	40 at 150 mA at 10 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	1 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	- 120 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	- 100 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	- 0.3 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	- 5 V
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	150 MHz
Производитель	Diodes Incorporated
Размер фабричной упаковки	4000
Серия	ZTX553
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	TO-92

Метки: