NST846BF3T5G

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: NST846BF3T5G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT NPN GP TRANSISTOR

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	347 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	200 at 2 mA at 5 V
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	200 at 2 mA at 5 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	100 mA
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	65 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	600 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	100 MHz
Производитель	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки	8000
Серия	NST846BF3T5G
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-1123-3

Метки: