MMDT5451-7-F

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: MMDT5451-7-F
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT 160 / 160V 200mW

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	0.2 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	60
Конфигурация	Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	240
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	0.2 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	- 160 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	- 150 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.2 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	- 5 V
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	300 MHz
Производитель	Diodes Incorporated
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	MMDT54
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-363

Метки: