SBC856ALT1G

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: SBC856ALT1G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT SS GP XSTR PNP 65V

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	225 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	250
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	- 80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	- 65 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	- 0.3 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	- 5 V
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	100 MHz
Производитель	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	SBC856ALT1G
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-23

Метки: