SSVBC846BPDW1T1G

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: SSVBC846BPDW1T1G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
SSVBC846BPDW1T1G Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы - BJT SS DUAL GEN XSTR

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	250 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	200
Конфигурация	Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	475
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	- 100 mA, 100 mA
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	-80 V, 80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	-65 V, 65 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	- 0.3 V, 0.25 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	- 5 V, 6 V
Полярность транзистора	NPN, PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	100 MHz
Производитель	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	SSVBC846BPDW1T1G
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-363

Метки: