FSB649

Производитель: Fairchild Semiconductor
Номер части: FSB649
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT NPN Transistor Low Saturation

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	0.5 W
Вес изделия	30 mg
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	100
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	300
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	3 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	35 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	25 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	600 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Полярность транзистора	NPN
Производитель	Fairchild Semiconductor
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	FSB649
Торговая марка	Fairchild Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	Super SOT

Метки: