2SD2153T100W

Производитель: Rohm Semiconductor
Номер части: 2SD2153T100W
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP BJT NPN 25V 2A 4PIN

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	2 W
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	1200 at 500 mA at 6 V
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	1200 at 500 mA at 6 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	2 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	30 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	25 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	110 MHz
Производитель	ROHM Semiconductor
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	2SD2153
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	MPT

Метки: