NJVMJB41CT4G

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: NJVMJB41CT4G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Время выполнения производителем: 4 недель

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
NJVMJB41CT4G Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы - BJT BIP NPN 6A 100V TR

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	65 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	20 at 0.5 A at 10 V
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	75 at 3 A at 4 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	6 A
Минимальная рабочая температура	- 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	100 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	3 MHz
Производитель	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки	800
Серия	MJB41C
Технология	Si
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	D2PAK-3

Метки: