MJ802G

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: MJ802G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT 30A 90V 200W NPN

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	200 W
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	25
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	30 A
Минимальная рабочая температура	- 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	90 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.8 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	4 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	2 MHz
Производитель	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки	100
Серия	MJ802
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Tray
Упаковка / блок	TO-204-2 (TO-3)

Метки: