2DB1132Q-13

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: 2DB1132Q-13
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT 1000W -32Vceo

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	1000 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	120 at - 100 mA, - 3 V
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	- 1 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	- 40 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	- 32 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	- 125 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	- 5 V
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	190 MHz
Производитель	Diodes Incorporated
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	2DB11
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-89

Метки: