BCM856DS,115

Производитель: NXP Semiconductors
Номер части: BCM856DS,115
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT COMPLEX DISCRETE S2023D/SOT45

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	380 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	200 at - 2 mA at - 5 V, 200 at - 2 mA at - 5 V
Конфигурация	Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	450 at - 2 mA at - 5 V, 450 at - 2 mA at 5 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	- 200 mA, - 200 mA
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	- 80 V, - 80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	- 65 V, - 65 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	- 200 mV, - 200 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	- 5 V, - 5 V
Полярность транзистора	PNP, PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	175 MHz, 175 MHz
Производитель	NXP
Размер фабричной упаковки	3000
Торговая марка	NXP Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SC-74-6

Метки: