NSVBC858CLT1G

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: NSVBC858CLT1G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT SS SOT23 GP XSTR PNP 30V

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	300 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	420 at - 2 mA at - 5 V
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	800 at -2 mA at - 5 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	- 100 mA
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	- 30 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	- 30 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	- 0.65 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	- 5 V
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	100 MHz
Производитель	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	BC858CL
Технология	Si
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-23-3

Метки: