2SA2120-R(Q)

Производитель: Toshiba
Номер части: 2SA2120-R(Q)
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT Transistor PNP 200V 12A

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	200000 mW
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	55 at 1 A at 5 V
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	12 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	200 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	200 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	25 MHz (Typ)
Производитель	Toshiba
Размер фабричной упаковки	50
Торговая марка	Toshiba
Упаковка / блок	TO-3P

Метки: