NSV20101JT1G

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: NSV20101JT1G
Нормоупаковка: 3000 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 3000

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT 20V NPN LOW VCE(SAT)

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	300 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	200 at 10 m at 2 V, 200 at 100 mA at 2 V, 150 at 500 mA at 2 V, 100 at 1 A at 2 V
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	2 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	40 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	20 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	350 MHz
Производитель	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	NSS20101J
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SC-89

Метки: