ZTX789A

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: ZTX789A
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT NPN Super E-Line

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	1000 mW
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	100 at - 6 A at - 2 V
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	800 at - 10 mA at - 2 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	- 3 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	- 25 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	- 25 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	- 0.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	- 5 V
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	100 MHz
Производитель	Diodes Incorporated
Размер фабричной упаковки	4000
Серия	ZTX789
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Bulk
Упаковка / блок	TO-92-3

Метки: