FZT651TA

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: FZT651TA
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT NPN Medium Power

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	2 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	70 at 50 mA at 2 V, 100 at 500 mA at 2 V, 80 at 1 A at 2 V, 40 at 2 A at 2 V
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	70
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	3 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	60 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.43 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	175 MHz
Производитель	Diodes Incorporated
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	FZT651
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-223

Метки: